Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,7kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-MDNA360UB2200PTED
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     MDNA360UB2200PTED
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: IXYS
Obudowa: E2-Pack
Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 135A
Prąd kolektora w impulsie: 280A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 1 207,62*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 207,62*
PLN 1 485,37
za szt.
od 2 szt.
PLN 1 169,29*
PLN 1 438,23
za szt.
od 3 szt.
PLN 1 052,79*
PLN 1 294,93
za szt.
od 5 szt.
PLN 881,83*
PLN 1 084,65
za szt.
od 10 szt.
PLN 879,06*
PLN 1 081,24
za szt.
od 500 szt.
PLN 844,07*
PLN 1 038,21
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.