Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-MG12150S-BN2MM
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     MG12150S-BN2MM
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: IXYS
Obudowa: Y4-M5
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 150A
Prąd kolektora w impulsie: 300A
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Trench;Field Stop
Topologia: półmostek IGBT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 379,59*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 545,05*
PLN 670,41
za szt.
od 2 szt.
PLN 541,36*
PLN 665,87
za szt.
od 3 szt.
PLN 488,10*
PLN 600,36
za szt.
od 5 szt.
PLN 418,50*
PLN 514,76
za szt.
od 10 szt.
PLN 411,28*
PLN 505,87
za szt.
od 500 szt.
PLN 379,59*
PLN 466,90
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.