Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-MG12300D-BN2MM
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     MG12300D-BN2MM
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: IXYS
Obudowa: Y3-DCB
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 300A
Prąd kolektora w impulsie: 600A
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Trench;Field Stop
Topologia: półmostek IGBT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 830,06*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 193,10*
PLN 1 467,51
za szt.
od 2 szt.
PLN 1 126,61*
PLN 1 385,73
za szt.
od 3 szt.
PLN 1 012,69*
PLN 1 245,61
za szt.
od 5 szt.
PLN 867,09*
PLN 1 066,52
za szt.
od 500 szt.
PLN 830,06*
PLN 1 020,97
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.