Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-MII200-12A4
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     MII200-12A4
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: IXYS
Obudowa: Y3-DCB
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 180A
Prąd kolektora w impulsie: 360A
Zastosowanie: silniki
Moc rozpraszana: 1,13kW
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: NPT
Topologia: półmostek IGBT
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 950,06*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 950,06*
PLN 1 168,57
za szt.
od 2 szt.
PLN 934,24*
PLN 1 149,12
za szt.
od 4 szt.
PLN 837,31*
PLN 1 029,89
za szt.
od 5 szt.
PLN 781,05*
PLN 960,69
za szt.
od 6 szt.
PLN 702,93*
PLN 864,60
za szt.
od 10 szt.
PLN 697,53*
PLN 857,96
za szt.
od 500 szt.
PLN 669,13*
PLN 823,03
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.