Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek H; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-MKI100-12F8
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     MKI100-12F8
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: IXYS
Obudowa: E3-Pack
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 125A
Prąd kolektora w impulsie: 200A
Moc rozpraszana: 640W
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: NPT;HiPerFRED™
Topologia: mostek H
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 1 010,09*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 010,09*
PLN 1 242,41
za szt.
od 2 szt.
PLN 980,49*
PLN 1 206,00
za szt.
od 3 szt.
PLN 885,05*
PLN 1 088,61
za szt.
od 5 szt.
PLN 741,17*
PLN 911,64
za szt.
od 10 szt.
PLN 732,14*
PLN 900,53
za szt.
od 500 szt.
PLN 704,36*
PLN 866,36
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.