Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 136W; TO247-3


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-RGS80TS65DHRC11
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGS80TS65DHRC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaż: THT
Obudowa: TO247-3
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka - emiter: ±30V
Prąd kolektora: 40A
Prąd kolektora w impulsie: 120A
Czas załączania: 62ns
Czas wyłączania: 291ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 136W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 48nC
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 16,26*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 30,59*
PLN 37,63
za szt.
od 5 szt.
PLN 27,19*
PLN 33,44
za szt.
od 10 szt.
PLN 26,86*
PLN 33,04
za szt.
od 20 szt.
PLN 25,29*
PLN 31,11
za szt.
od 30 szt.
PLN 22,29*
PLN 27,42
za szt.
od 50 szt.
PLN 21,91*
PLN 26,95
za szt.
od 90 szt.
PLN 19,64*
PLN 24,16
za szt.
od 450 szt.
PLN 18,56*
PLN 22,83
za szt.
od 7500 szt.
PLN 16,26*
PLN 20,00
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.