Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-RGW80TS65DGC11
Producent:
     ROHM Semiconductor
Nr producenta:
     RGW80TS65DGC11
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaż: THT
Obudowa: TO247-3
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka - emiter: ±30V
Prąd kolektora: 40A
Prąd kolektora w impulsie: 160A
Czas załączania: 59ns
Czas wyłączania: 228ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 107W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 110nC
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 12,75*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 23,90*
PLN 29,40
za szt.
od 5 szt.
PLN 21,16*
PLN 26,03
za szt.
od 10 szt.
PLN 20,91*
PLN 25,72
za szt.
od 20 szt.
PLN 19,99*
PLN 24,59
za szt.
od 30 szt.
PLN 17,69*
PLN 21,76
za szt.
od 50 szt.
PLN 17,15*
PLN 21,09
za szt.
od 90 szt.
PLN 15,39*
PLN 18,93
za szt.
od 450 szt.
PLN 14,54*
PLN 17,88
za szt.
od 7500 szt.
PLN 12,75*
PLN 15,68
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.