Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 600A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SEMIX603GAL12E4P
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SEMIX603GAL12E4P 27895020
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: SEMiX® 3p
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 600A
Prąd kolektora w impulsie: 1,8kA
Zastosowanie: do UPS;falownik;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit;przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: termistor;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 2 825,88*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 2 825,88*
PLN 3 475,83
za szt.
od 2 szt.
PLN 2 778,25*
PLN 3 417,25
za szt.
od 3 szt.
PLN 2 442,72*
PLN 3 004,55
za szt.
od 5 szt.
PLN 2 395,58*
PLN 2 946,56
za szt.
od 6 szt.
PLN 2 150,80*
PLN 2 645,48
za szt.
od 10 szt.
PLN 2 126,40*
PLN 2 615,47
za szt.
od 12 szt.
PLN 2 002,89*
PLN 2 463,55
za szt.
od 500 szt.
PLN 1 976,89*
PLN 2 431,57
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.