Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 8,8A; Idm: 10A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     8WVXN-SIA112LDJ-T1-GE3
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIA112LDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: VISHAY
Montaż: SMD
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 8,8A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 135mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET
Moc rozpraszana: 15,6W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: taśma;rolka
Ładunek bramki: 11,8nC
Technologia: TrenchFET®
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: ±20V
Prąd drenu w impulsie: 10A
Oferty (2)
Stan magazynu
Min. liczba zamawianych produktów
Wysyłka
Cena ruchoma
Cena jednostkowa
^
Magazyn 8WVXN
6000
PLN 12,90*
od PLN 1,52*
PLN 1,57*
3000
Dostawa bezpłatna
od PLN 1,599*
PLN 1,659*
Ceny: Magazyn 8WVXN
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 6000 szt.
PLN 1,57*
PLN 1,93
za szt.
od 15000 szt.
PLN 1,55*
PLN 1,91
za szt.
od 30000 szt.
PLN 1,53*
PLN 1,88
za szt.
od 1500000 szt.
PLN 1,52*
PLN 1,87
za szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 6 000 szt.
Minimalna liczba zamawianych produktów: 6000 szt. ( odpowiada PLN 9 420,00* plus VAT )
Stan magazynu: Magazyn 8WVXN
Wysyłka: Magazyn 8WVXN
Wyświetl szczegółowe informacje o stanie magazynu.
Wartość zamówienia
Wysyłka
od PLN 0,00*
PLN 12,90*
Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 8WVXN
Anulowanie, wymiana lub zwrot tego artykułu są wykluczone.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.