Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 12A; Idm: 40A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SIA430DJT-T1-GE3
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIA430DJT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: VISHAY
Montaż: SMD
Napięcie dren-źródło: 20V
Prąd drenu: 12A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 18,5mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET
Moc rozpraszana: 19,2W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: taśma;rolka
Ładunek bramki: 18nC
Technologia: TrenchFET®
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: ±20V
Prąd drenu w impulsie: 40A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 0,98*
  
Cena obowiązuje od 1 500 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 3000 szt.
PLN 1,03*
PLN 1,27
za szt.
od 6000 szt.
PLN 1,02*
PLN 1,25
za szt.
od 15000 szt.
PLN 1,01*
PLN 1,24
za szt.
od 30000 szt.
PLN 1,00*
PLN 1,23
za szt.
od 1500000 szt.
PLN 0,98*
PLN 1,21
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.