Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 35A; Idm: 60A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SIR410DP-T1-GE3
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIR410DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: VISHAY
Montaż: SMD
Obudowa: PowerPAK® SO8
Napięcie dren-źródło: 20V
Prąd drenu: 35A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET
Moc rozpraszana: 36W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: taśma;rolka
Ładunek bramki: 41nC
Technologia: TrenchFET®
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: ±20V
Prąd drenu w impulsie: 60A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 2,54*
  
Cena obowiązuje od 1 500 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 3000 szt.
PLN 2,65*
PLN 3,26
za szt.
od 6000 szt.
PLN 2,63*
PLN 3,23
za szt.
od 15000 szt.
PLN 2,58*
PLN 3,17
za szt.
od 30000 szt.
PLN 2,56*
PLN 3,15
za szt.
od 1500000 szt.
PLN 2,54*
PLN 3,12
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.