Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 60A; Idm: 100A


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SIR804DP-T1-GE3
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIR804DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Dioda
Diody
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Producent: VISHAY
Montaż: SMD
Obudowa: PowerPAK® SO8
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 60A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,3mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET
Moc rozpraszana: 104W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: taśma;rolka
Ładunek bramki: 76nC
Technologia: TrenchFET®
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: ±20V
Prąd drenu w impulsie: 100A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 17 792,07*
  
Cena obowiązuje od 10 opakowania
1 opakowanie zawiera 3 000 szt. (od PLN 5,93069* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 18 308,79*
PLN 22 519,8117
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 18 204,21*
PLN 22 391,1783
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 17 919,81*
PLN 22 041,3663
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 17 792,07*
PLN 21 884,2461
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.