Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 4A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKIIP10NAB12T4V1
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKIIP 10NAB12T4V1 25231660
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: MiniSKiiP® 1
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 4A
Prąd kolektora w impulsie: 12A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;półmostek IGBT x3;termistor NTC;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 250,63*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 364,04*
PLN 447,77
za szt.
od 2 szt.
PLN 361,58*
PLN 444,74
za szt.
od 3 szt.
PLN 319,23*
PLN 392,65
za szt.
od 5 szt.
PLN 316,29*
PLN 389,04
za szt.
od 8 szt.
PLN 284,26*
PLN 349,64
za szt.
od 10 szt.
PLN 280,02*
PLN 344,42
za szt.
od 500 szt.
PLN 250,63*
PLN 308,27
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.