Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 8A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKIIP11NAB12T4V1
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKIIP 11NAB12T4V1 25231580
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: MiniSKiiP® 1
Moc: 4kW
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 8A
Prąd kolektora w impulsie: 24A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;półmostek IGBT x3;termistor NTC;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 269,13*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 394,22*
PLN 484,89
za szt.
od 2 szt.
PLN 389,01*
PLN 478,48
za szt.
od 3 szt.
PLN 343,76*
PLN 422,82
za szt.
od 5 szt.
PLN 339,66*
PLN 417,78
za szt.
od 8 szt.
PLN 304,89*
PLN 375,01
za szt.
od 10 szt.
PLN 297,08*
PLN 365,41
za szt.
od 500 szt.
PLN 269,13*
PLN 331,03
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.