Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 10A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKIIP11NAB12T7V1
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKIIP 11NAB12T7V1 25232040
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: MiniSKiiP® 1
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 10A
Prąd kolektora w impulsie: 20A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 324,86*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 470,60*
PLN 578,84
za szt.
od 2 szt.
PLN 468,21*
PLN 575,90
za szt.
od 3 szt.
PLN 413,73*
PLN 508,89
za szt.
od 5 szt.
PLN 400,13*
PLN 492,16
za szt.
od 8 szt.
PLN 359,21*
PLN 441,83
za szt.
od 10 szt.
PLN 354,33*
PLN 435,83
za szt.
od 500 szt.
PLN 324,86*
PLN 399,58
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.