Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKIIP24NAB12T4V10
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKIIP 24NAB12T4V10 25231560
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: MiniSKiiP® 2
Moc: 11kW
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 35A
Prąd kolektora w impulsie: 105A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;mostek 3-fazowy IGBT;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 585,46*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 844,41*
PLN 1 038,62
za szt.
od 2 szt.
PLN 838,63*
PLN 1 031,51
za szt.
od 3 szt.
PLN 743,44*
PLN 914,43
za szt.
od 5 szt.
PLN 707,09*
PLN 869,72
za szt.
od 8 szt.
PLN 633,79*
PLN 779,56
za szt.
od 10 szt.
PLN 625,74*
PLN 769,66
za szt.
od 500 szt.
PLN 585,46*
PLN 720,12
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.