Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKM150GAL12F4G
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKM150GAL12F4G 22896150
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: SEMITRANS3
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 150A
Prąd kolektora w impulsie: 300A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 507,52*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 734,81*
PLN 903,82
za szt.
od 2 szt.
PLN 734,18*
PLN 903,04
za szt.
od 3 szt.
PLN 644,65*
PLN 792,92
za szt.
od 5 szt.
PLN 605,90*
PLN 745,26
za szt.
od 10 szt.
PLN 590,15*
PLN 725,88
za szt.
od 12 szt.
PLN 532,79*
PLN 655,33
za szt.
od 500 szt.
PLN 507,52*
PLN 624,25
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.