Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKM200GBD126D
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKM200GBD126D 22891102
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: SEMITRANS3
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 186A
Prąd kolektora w impulsie: 414A
Zastosowanie: do UPS;falownik;fotowoltaika
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: półmostek IGBT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 747,03*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 747,03*
PLN 918,85
za szt.
od 2 szt.
PLN 743,59*
PLN 914,62
za szt.
od 3 szt.
PLN 667,91*
PLN 821,53
za szt.
od 5 szt.
PLN 637,54*
PLN 784,17
za szt.
od 10 szt.
PLN 612,82*
PLN 753,77
za szt.
od 500 szt.
PLN 588,24*
PLN 723,54
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.