Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV
Nr artykułu:
     8WVXN-SKM200GBD126D
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKM200GBD126D 22891102
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: SEMITRANS3
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 186A
Prąd kolektora w impulsie: 414A
Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik częstotliwości;fotowoltaika
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: półmostek IGBT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 591,53*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 750,76*
PLN 923,43
za szt.
od 2 szt.
PLN 726,83*
PLN 894,00
za szt.
od 3 szt.
PLN 652,84*
PLN 802,99
za szt.
od 5 szt.
PLN 643,96*
PLN 792,07
za szt.
od 10 szt.
PLN 633,58*
PLN 779,30
za szt.
od 500 szt.
PLN 591,53*
PLN 727,58
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.