Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor dużej mocy

  Tranzystor dużej mocy  (493 ofert spośród 5 367 188 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor dużej mocy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor dużej mocy"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 300 mA SOT-323 60 V SMD Pojedynczy 350 mW 4,8 oma (2 ofert) 
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, ...
onsemi
2N7002KW
PLN 0,368*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 77 A TO-247 600 V Pojedynczy 592 W 41 miliomów (2 ofert) 
SuperFET® i SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild uzupełniła serię MOSFET SuperFET® II o wysokonapięciowy wzmacniacz z technologią Super Junction. Zapewnia ona najlepszą...
onsemi
FCH041N60E
PLN 50,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 1 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 500 mW 300 miliomów (2 ofert) 
Tryb powiększenia P-Channel MOSFET, ON Semiconductor. Na temat półprzewodników z serii P-Channel MOSFET produkowanych jest metodą ON Semi, o dużej gęstości komórek, opartą na technologii DMOS. Ten ...
onsemi
NDS332P
PLN 0,716*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-264 600 V Pojedynczy 1 kW 140 miliomów (1 Oferta) 
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3. Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapew...
IXYS
IXFK48N60Q3
PLN 81,301*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 32 A PLUS247 1000 V Pojedynczy 1,25 kW 320 miliomów (2 ofert) 
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3. Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapew...
IXYS
IXFX32N100Q3
PLN 118,622*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 82 A PLUS264 600 V Pojedynczy 1,56 kW 75 miliomów (1 Oferta) 
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3. Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapew...
IXYS
IXFB82N60Q3
PLN 201,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 11,5 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD Pojedynczy 3,13 W 470 mΩ (2 ofert) 
Tryb powiększenia P-Channel MOSFET, ON Semiconductor. Na temat półprzewodników z serii P-Channel MOSFET produkowanych jest metodą ON Semi, o dużej gęstości komórek, opartą na technologii DMOS. Ten ...
onsemi
FQB12P20TM
PLN 4,427*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 35 W 6,3 milioma (1 Oferta) 
RD3G500GN to układ MOSFET z niską rezystancją włączenia do zastosowań przełączania.Niska rezystancja włączenia Obudowa o dużej mocy (TO-252) Bezołowiowa powłoka przewodu Nie zawiera halogenów
ROHM Semiconductor
RD3G500GNTL
PLN 6,738*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 650 V Pojedynczy 540 W 100 miliomów (2 ofert) 
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiPerFET™ X2. Tranzystor klasy IXYS X2 klasy HiPerFET Power MOSFET o znacznie mniejszej rezystancji i stopniu naładowania bramki w porównaniu z poprzednimi generacjami...
IXYS
IXFH34N65X2
PLN 28,176*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7105TRPBF
PLN 1,308*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 180 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 360 mW 5 omów (2 ofert) 
Tryb powiększenia P-Channel MOSFET, ON Semiconductor. Na temat półprzewodników z serii P-Channel MOSFET produkowanych jest metodą ON Semi, o dużej gęstości komórek, opartą na technologii DMOS. Ten ...
onsemi
NDS0605
PLN 0,824*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 510 mA SOT-23 50 V SMD Izolacja 960 mW 4 omy (1 Oferta) 
Dwa tryby usprawniające MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory działające w trybie poprawy efektów polowych są produkowane przy użyciu własnych tranzystorów Fairchild, o wysokiej gęstości kom...
onsemi
NDC7002N
PLN 2,496*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A SOT-227 800 V Montaż na śrubie Pojedynczy 780 W 190 miliomów (1 Oferta) 
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3. Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapew...
IXYS
IXFN44N80Q3
PLN 261,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,3 A; 7,3 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2,5 W 46 mΩ, 98 mΩ (2 ofert) 
Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon. Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączania w k...
Infineon
IRF7389TRPBF
PLN 1,948*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 460 mA SOT-23 25 V SMD Pojedynczy 350 mW 1,1 oma (1 Oferta) 
Tryb powiększenia P-Channel MOSFET, ON Semiconductor. Na temat półprzewodników z serii P-Channel MOSFET produkowanych jest metodą ON Semi, o dużej gęstości komórek, opartą na technologii DMOS. Ten ...
onsemi
FDV304P
PLN 0,433*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   33   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.