Tranzystor dużej mocy kup korzystnie w Mercateo (strona 21/33)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 82 A SOT-227 500 V Montaż na śrubie Pojedynczy 960 W 49 miliomów (1 Oferta)

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3. Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapew...

IXYS

IXFN100N50Q3

PLN 247,53*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 7,5 A SOT-223 30 V SMD Pojedynczy 3 W 54 miliomy (1 Oferta)

Tryb powiększenia P-Channel MOSFET, ON Semiconductor. Na temat półprzewodników z serii P-Channel MOSFET produkowanych jest metodą ON Semi, o dużej gęstości komórek, opartą na technologii DMOS. Ten ...

onsemi

NDT456P

PLN 12,754*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 1,7 A; 2,4 A MSOP 20 V SMD Izolacja 1,25 W 140 miliomów, 270 miliomów (1 Oferta)

Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon. Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączania w k...

Infineon

IRF7507TRPBF

PLN 1,188*
za szt.

Płytka ewaluacyjna STMicroelectronics Płytka ewaluacyjna PWD13F60 (1 Oferta)

STMicroelectronics - płytka ewaluacyjnaSTMicroelectronics - sterownik mocy o dużej gęstości używany do integracji sterowników bramki i czterech tranzystorów zasilających MOSFET typu N-channel w kon...

ST Microelectronics

EVALPWD13F60

PLN 152,49*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2 A; 2,7 A MSOP 30 V SMD Izolacja 1.25 W 110 mΩ, 200 mΩ (1 Oferta)

Infineon

IRF7509TRPBF

PLN 4,40*
za szt.

Transoptor TLP2161(F) Układ przetwornika obrazu 2-kanałowy SOIC 8 Toshiba (1 Oferta)

Złącze fotoelektryczne, wyjście logiczne przetwornika (otwarty kolektor) Toshiba

Toshiba

TLP2161(F)

PLN 11,312*
za szt.

Infineon IRF7309 tranzystor 100 V (3 ofert)

Infineon

IRF7309TRPBF

PLN 1,562*
za szt.

Tranzystor NPN LFPAK56, SOT669 100 V Montaż powierzchniowy 10 A PHPT61010NYX (1 Oferta)

Tranzystor bipolarny NPN dużej mocy 100 V, 10 A. Tranzystor bipolarny NPN dużej mocy w plastikowej obudowie SOT669 (LFPAK56) do montażu powierzchniowego (SMD). Komplementarna wersja PNP: PHPT61010P...

Nexperia

PHPT61010NYX

PLN 3,776*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3,5 A; 3,9 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 95 mΩ, 190 mΩ (1 Oferta)

Dwa tryby usprawniające MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory działające w trybie poprawy efektów polowych są produkowane przy użyciu własnych tranzystorów Fairchild, o wysokiej gęstości kom...

onsemi

SI4532DY

PLN 2,36*
za szt.

Tranzystor PNP LFPAK56, SOT669 -100 V Montaż powierzchniowy -3 A PHPT61003PYX (1 Oferta)

Pojedyncze tranzystory VCEsat (BISS) małej mocy. Spełniające wymagania wysokiej wydajności. Wysoka wydajność w układach dużej mocy może mieć równie duże znaczenie, jak w przypadku zastosowań małej ...

Nexperia

PHPT61003PYX

PLN 2,481*
za szt.

Infineon IRF7319 tranzystor 30 V (2 ofert)

Infineon

IRF7319TRPBF

PLN 2,173*
za szt.

Tranzystor PNP SOT-89 -50 V Montaż powierzchniowy -10 A 2STF2550 (1 Oferta)

2STF2550 i 2STN2550 to tranzystory PNP wyprodukowane przy użyciu nowej technologii ″PB-HCD″ (Power bipolar o dużej gęstości prądu). Powstały tranzystor charakteryzuje się wyjątkowo wysokim przyrost...

ST Microelectronics

2STF2550

PLN 2,496*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 1 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 500 mW 300 miliomów (1 Oferta)

onsemi

NDS332P

PLN 2,089*
za szt.

Tranzystor PNP TO-247 -230 V Otwór przezierny -15 A MJW1302AG (1 Oferta)

Tranzystor mocy MJW3281A jednobiegunowy Complementary Audio Transistor jest tranzystorem mocy dla układów audio o dużej mocy, pozycjonerów głowic dyskowych i innych zastosowań liniowych.Przeznaczon...

onsemi

MJW1302AG

PLN 21,62*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 120 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 360 mW 10 omów (3 ofert)

onsemi

NDS0610

PLN 1,52*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .. 33 Dalej

Tranzystor dużej mocy (493 ofert spośród 5 375 752 artykułów)

"Tranzystor dużej mocy"