 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: N 330 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba st... |
|
od PLN 9,969*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 40A; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Typ tranzystora: IGBT Rodzaj opakowania: tuba Właściwo... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH40N120HF |
od PLN 27,01*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 250 A Uce 6500 V 3 CTI 1000 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 250 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 6500 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1000 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mo... |
|
od PLN 4 807,254*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 50A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT13GP120BDQ1G |
od PLN 34,51*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,93*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 250 A Uce 6500 V 3 CTI 1000 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 250 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 6500 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1000 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mo... |
|
od PLN 21 569,876*
za 4 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Trench; 1,2kV; 48A; 390W; ISO247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISO247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 52ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 33,71*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,583*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2GC11 |
od PLN 14,479*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 90A Czas załączania: 26ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP120BDQ1G |
od PLN 49,97*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 173A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB7537PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=173 A, Czas narastania=105 ns, Czas opadania=84 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=82 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 3,228*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,734*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 104ns ... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65HF1 |
od PLN 29,54*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 1A, TO-236 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP263N1001TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=1 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=35 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źród... |
Torex Semiconductor XP263N1001TR-G |
od PLN 0,33*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 26 A Uce 600 V PG-TO263-3 130 W (1 Oferta) Niskostratnego tranzystora dwubiegunowego z izolowaną bramką Infineon i technologią Fieldstop.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagn... |
|
od PLN 5,381*
za szt. |
|
|
