 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 73,37*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 120A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB3306PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=77 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 5,43*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 91A; 1042W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 91A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 60ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GP120B2G |
od PLN 105,50*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP040N06N3GXKSA1 |
od PLN 3,76*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1100 V 1 TO-247 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1100 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5.8V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Montaż po... |
|
od PLN 8,64*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 330A Czas załączania: 69ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GP60B2G |
od PLN 95,55*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N7002TR-G |
od PLN 0,65*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGWA25IH135DF2 |
od PLN 9,97*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90B2D30 |
od PLN 50,58*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-523 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70025R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70025R-G |
od PLN 0,48*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,724*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 85ns Czas wyłączania: 0,... |
|
od PLN 14,83*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-723 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70027R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70027R-G |
od PLN 0,44*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 65A Czas załączania: 20ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GP60BG |
od PLN 19,64*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DGC11 |
od PLN 19,244*
za szt. |
|
|
