 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD5B65N1 |
od PLN 1,74*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD5B65M1 |
od PLN 2,33*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 63A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 50ns C... |
|
od PLN 6,788*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 6A; 88W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 24A Typ tranzystora: IGBT Moc ro... |
ST Microelectronics STGB6M65DF2 |
od PLN 3,06*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 24A Typ tranzystora: IGBT Moc roz... |
ST Microelectronics STGD6M65DF2 |
od PLN 2,70*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 12A Czas załączania: 54ns Czas w... |
ROHM Semiconductor RGT8BM65DTL |
od PLN 2,62*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 27ns Czas w... |
ROHM Semiconductor RGT16BM65DTL |
od PLN 3,43*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 27ns Czas w... |
ROHM Semiconductor RGT16NL65DGTL |
od PLN 4,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 105A; 400W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 105A Prąd kolektora w impulsie: 700A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 212,82*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 40A; 400W; SMPD (2 ofert) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 440A Czas załączania: 122ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 149,44*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 63ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 31,80*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 82,99*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 46,97*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 46,93*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 33ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 83,44*
za szt. |
|
|
