 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 210 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 210 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków = 3 |
|
od PLN 8,452*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 2A; 32W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13,5A Czas załączania: 115ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 43,07*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 548,06*
za 50 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 94ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 19,04*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 26,558*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 54A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 170A Czas załączania: 47ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT45GP120B2DQ2G |
od PLN 98,34*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3 |
|
od PLN 4,252*
za 2 szt. |
|
|
IGBT Uce 950 V TO-247 Pojedynczy 453 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalna strata mocy = 453 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Wymiary = 1... |
|
od PLN 29,767*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 650V; 100A; 892W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 105ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT95GR65B2 |
od PLN 49,12*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 10,30*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 32,14*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 21,31*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 102A Prąd kolektora w impulsie: 307A Czas załączania: 64ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT102GA60B2 |
od PLN 62,07*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V AG-ECONOD-411 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONOD-411 |
Infineon FF600R07ME4B11BPSA1 |
od PLN 711,977*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 318,239*
za szt. |
|
|
