Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 891 ofert spośród 4 777 074 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 26 A Uce 600 V PG-TO263-3 130 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 26 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 130 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczba styków...
Infineon
IGB15N60TATMA1
od PLN 3,362*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 172A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GB12T4G 22892050
od PLN 597,23*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: Dwukierunkowe 340 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 340 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
ST Microelectronics
STGWA25IH135DF2
od PLN 10,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB12V 22892083
od PLN 984,14*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Układ ROHM z ogranicznikiem polowym IGBT używany głównie w układzie PFC, UPS, IH i układzie kondycjonera mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wy...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2GC11
od PLN 15,562*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB12T4 22892070
od PLN 835,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: Dwukierunkowe 340 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 340 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
ST Microelectronics
STGWA25IH135DF2
od PLN 12,679*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GB12T4 22892020
od PLN 259,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 176A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GB12V 22892043
od PLN 533,01*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 250 A Uce 6500 V 3 CTI 1000 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 250 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 6500 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1000 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mo...
Infineon
FZ250R65KE3NPSA1
od PLN 4 793,304*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB125D 22890626
od PLN 2 051,08*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V PG-TO247-3 200 W (1 Oferta) 
Dwubiegunowy tranzystor izolowany Infineon szóstej generacji z serii szybkich przełączników miękkich.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elek...
Infineon
IKW15N120BH6XKSA1
od PLN 8,545*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: HUAJING Obudowa: V1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 200A Zas...
HUAJING
HFGM100D12V1
od PLN 161,01*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 32,5 W (2 ofert) 
Infineon IKA10N65ET6 to dobra wydajność termiczna, zwłaszcza przy wyższych częstotliwościach oraz zwiększonej marży konstrukcyjnej i niezawodności. Jest to bardzo miękka, szybko odzyskana antyrówno...
Infineon
IKA10N65ET6XKSA2
od PLN 3,602*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB12T4 22892080
od PLN 1 000,44*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   260   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.