Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 891 ofert spośród 4 777 084 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247 230 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Dioda pojedyncza
Bourns
BIDW30N60T
od PLN 11,512*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 3,75kV; Gull wing 8 (1 Oferta) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: Gull wing 8 Czas załączania: 0,1µs Czas wyłączania: 3µs Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Szybkość narastan...
Broadcom
HCPL-3120-360E
od PLN 8,77*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 178 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65EHRC11
od PLN 18,405*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 22A; P: 5,5kW (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 1 Moc: 5,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 22A Prąd k...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12AC126V1 25230040
od PLN 303,84*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1600 V 1 TO-247 kanał: N 263 W (1 Oferta) 
Seria Infineon IHW z odwrócającym przewodnikiem IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247, skupiającym się na wydajności i niezawodności systemu dla wymagających wymagań gotowania i...
Infineon
IHW30N160R5XKSA1
od PLN 13,886*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM195GB066D 22890052
od PLN 320,21*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 178 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65EHRC11
od PLN 21,665*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GB17E4 22895050
od PLN 373,34*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-263-3 110 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 110 W Typ opakowania = TO-263-3
Infineon
IKB10N60TATMA1
od PLN 5,16*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO247-3 185 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 185 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW30N65WR5XKSA1
od PLN 7,524*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 3,75kV; Gull wing 8 (2 ofert) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: Gull wing 8 Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV CTR@If: 44-90%@10mA Szybkość narastania napięcia: 30kV/μs Typ...
Broadcom
HCPL-4506-300E
od PLN 7,81*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 250 W (2 ofert) 
Infineon IKD03N60RF jest bardziej niezawodny ze względu na monolitycznie zintegrowany IGBT i diodę ze względu na mniejsze cykle termiczne podczas przełączania. Charakteryzuje się płynnym przełączan...
Infineon
IKD15N60RFATMA1
od PLN 3,206*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM145GB066D 22890045
od PLN 280,15*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 188 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = TO-263 Typ montaż...
Infineon
IKB30N65EH5ATMA1
od PLN 7,409*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 83A Prąd kolektora w impulsie: 2...
Powersem
PSI 130/06
od PLN 125,30*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   260   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.