Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
MOSFET N-kanałowy 116 A H2PAK-7 650 V SMD 0,024 oma (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = H2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dre... |
ST Microelectronics SCTH90N65G2V-7 |
od PLN 92,959*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 1.5A, SOT-23 (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=XP233P1501TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=1.5 A, Czas narastania=75 ns, Czas opadania=230 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=470 ns, Czas opóźnienia włączenia=40 ns, ... |
Torex Semiconductor XP233P1501TR-G |
od PLN 1,36*
za szt. |
| |
|
Infineon BSS314PEH6327XTSA1 |
od PLN 0,273*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 114 A SuperSO8 5 x 6 150 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 114 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na... |
Infineon BSC074N15NS5ATMA1 |
od PLN 9,456*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 12,20*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 116 A PowerPAK SO-8 80 V SMD (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 |
|
od PLN 9 009,42*
za 3 000 szt. |
| |
|
ST Microelectronics STP24N60M2 |
od PLN 6,88*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,824*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 2.5A, SOT-89 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=XP162A11C0PR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=2.5 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Na... |
Torex Semiconductor XP162A11C0PR-G |
od PLN 1,09*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 200mA, SOT-23 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=XP231P0201TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=100 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, ... |
Torex Semiconductor XP231P0201TR-G |
od PLN 0,131*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 200mA, SOT-523 (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=XP231P02015R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=80 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, N... |
Torex Semiconductor XP231P02015R-G |
od PLN 0,44*
za szt. |
| |
|
ST Microelectronics STP6N60M2 |
od PLN 3,32*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 30V, 200mA, SOT-723 (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=XP231P02017R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=80 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, N... |
Torex Semiconductor XP231P02017R-G |
od PLN 0,40*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 115 A TO-252 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 115 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RD3L07BBGTL1 |
od PLN 4,626*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 116 A DFN 100 V SMD 0.0043 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 116 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
|
od PLN 6,617*
za szt. |
| |
|
