Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 787 ofert spośród 4 811 950 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 362 A DFN 40 V SMD Pojedynczy 179 W 1,1 milioma (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja mokrego ...
onsemi
NVMFS5C406NLT1G
od PLN 12 805,80*
za 1 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 15A; Idm: 82A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT24F50B
od PLN 19,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 26A; 300W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5020BVFRG
od PLN 70,44*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPP60R080P7 tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPP60R080P7XKSA1
od PLN 12,579*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 350.8 A PowerPAK SO-8 30 V SMD 0.00047 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 350.8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystan...
Vishay
SiR500DP-T1-RE3
od PLN 3,087*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3,2A; Idm: 32A; 40W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacj...
NTE Electronics
NTE2946
od PLN 16,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 365 A PG-HDSOP-16 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 365 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-HDSOP-16 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Liczba elementów na u...
Infineon
SP005731291
od PLN 26 534,232*
za 1 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W P...
IXYS
IXTT16N50D2
od PLN 49,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 350 mA TO-39 90 V Pojedynczy 6,25 W 5 omów (2 ofert) 
2N6661 to tranzystor trybu wzmocnienia (normalnie wyłączony), w którym zastosowano pionową strukturę DMOS oraz sprawdzony proces produkcji bramek krzemowych. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwo...
Microchip Technology
2N6661
od PLN 61,617*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPZA60R080P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPZA60R080P7XKSA1
od PLN 14,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 570ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,48Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTH15N50L2
od PLN 27,33*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 354 A PG HDSOP-16 (TOLT) 100 V SMD 0.0015 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 354 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG HDSOP-16 (TOLT) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Maksymalna rez...
Infineon
IPTC015N10NM5ATMA1
od PLN 30 610,854*
za 1 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3,3A; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipola...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF5N50
od PLN 1,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.0169 O, 0.0219 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja d...
Infineon
ISZ0803NLSATMA1
od PLN 1,721*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 17A; 139W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,199Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W...
Infineon
IPI50R199CPXKSA1
od PLN 6,73*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   811   812   813   814   815   816   817   818   819   820   821   ..   1520   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.