MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 601/816)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 400 A PG HDSOP-16 (TOLT) 80 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 400 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG HDSOP-16 (TOLT) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Maksymalne napi...

Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1

od PLN 77,71*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja: unipo...

Toshiba

TK650A60F,S4X(S

od PLN 5,09*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12,6A; 192W; TO247 (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W Polary...

ST Microelectronics

STW20NM60

od PLN 8,57*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 40,7 A 1212-8S 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerze...

Vishay

SISS5112DN-T1-GE3

od PLN 3,964*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,2A; 40W; TO220AB (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipol...

Vishay

IRFIBC40GPBF

od PLN 5,25*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 407 mA X1-DFN1006 60 V SMD Pojedynczy 500 mW 3 miliomy (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET nowej generacji został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować niewrażliwość na zmiany stanu (RDS(ON)), a przy tym zachować najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ...

Diodes

DMN62D1LFB-7B

od PLN 1,115*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,4A; 83W; DPAK (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Polaryzacja: unipolarny ...

onsemi

FDD5N60NZTM

od PLN 2,17*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 408 A PG HSOG-8 (TOLG) 80 V SMD 0.0011 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 408 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG HSOG-8 (TOLG) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezysta...

Infineon

IPTG011N08NM5ATMA1

od PLN 16,637*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 400 A PG HDSOP-16 (TOLT) 80 V SMD (1 Oferta)

Infineon

IAUS300N08S5N012TATMA1

od PLN 15,64*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13,1A; 208W; PG-TO247-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208...

Infineon

SPW20N60C3

od PLN 13,80*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 41 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 0,068 oma (2 ofert)

Tranzystor MOSFET z serii Vishay EF z diodą Fast Body jest wyposażony w technologię 4. Generacji serii E. Zmniejszyła straty związane z przełączaniem i przewodnictwem.Klasa energetyczna lawiny (UIS...

Vishay

SIHB068N60EF-GE3

od PLN 15,51*
za szt.