Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 264 ofert spośród 4 794 907 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 43 A TO-247N 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 43 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4036KEHRC11
od PLN 48,711*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3-1 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 255W...
Infineon
IPP60R099CPXKSA1
od PLN 23,60*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD135N08N3GATMA1
od PLN 3 928,975*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 46 A PowerPAK SO-8L 80 V SMD 0,0173 oma (1 Oferta) 
Vishay Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175°C MOSFET jest zakwalifikowany do AEC-Q101.100 % badanych RG i UIS Tranzystor MOSFET z zasilaniem TrenchFET Gen IV
Vishay
SQJA81EP-T1_GE3
od PLN 4,476*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 278W; D2PAK,TO263 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja: un...
Vishay
SIHB33N60E-GE3
od PLN 13,84*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 430 A PowerPAK 8 x 8 l 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 430 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8 l Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SQJQ184ER-T1_GE3
od PLN 8,572*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3-2 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25...
Infineon
IPB60R099CPATMA1
od PLN 18,65*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A H2PAK-7 650 V SMD 0.067 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = H2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
od PLN 48,48*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-220 FP 100 V 0.0081 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220 FP Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Infineon
IPA082N10NF2SXKSA1
od PLN 3,078*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 34W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Pol...
Infineon
IPA60R165CPXKSA1
od PLN 9,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A HiP247 650 V 0,045 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET STMicroelectronics 650V z węglika krzemu ma prąd znamionowy 45A i rezystancję spustu do źródła 45 m. Charakteryzuje się niską opornością na jednostkę powierzchni i bardzo dobrą wy...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
od PLN 48,451*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 433 A DFN 30 V SMD 0.00062 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 433 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NTMFS0D6N03CT1G
od PLN 8,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,2A; 40W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipol...
Vishay
IRFIBC40GPBF
od PLN 5,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Materiał tranzystora = SiC
Microchip Technology
MSC040SMA120B
od PLN 86,617*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 160mA; Idm: 0,5A; 1W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
Microchip Technology
VN2460N3-G
od PLN 5,82*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   601   602   603   604   605   606   607   608   609   610   611   ..   818   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.