Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 237 ofert spośród 4 634 600 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 52 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 38 W 12 miliomów (1 Oferta) 
Przemysłowy układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne.Kompaktowa konstr...
onsemi
NTMYS7D3N04CLTWG
od PLN 5,114*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 mA SC-89-6 20 V SMD 0.396 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SC-89-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
Vishay
SI1034CX-T1-GE3
od PLN 0,409*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,5A; 40W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STP14NK60ZFP
od PLN 5,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 52 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD Pojedynczy 39 W 11 miliomów (3 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 52 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Vishay
SIS862ADN-T1-GE3
od PLN 1,467*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 mA CPH 25 V SMD Pojedynczy 700 mW (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = CPH Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna strata mocy = 700 mW...
onsemi
NSVJ6904DSB6T1G
od PLN 3 800,04*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,22A; Idm: 1,4A; 0,28W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyjna M...
onsemi
2V7002WT1G
od PLN 0,184*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 124A; 263W; SOT78,TO220AB (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 124A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 263W Polaryzacj...
Nexperia
PSMN4R2-60PLQ
od PLN 7,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 A LFPAK88 40 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK88 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
PSMNR55-40SSHJ
od PLN 13,231*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,24A; 0,13W; SC75A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC75A Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,13W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SI1022R-T1-GE3
od PLN 0,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 mA SOP 600 V SMD 8.8 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
ROHM Semiconductor
R6000ENHTB1
od PLN 1,375*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 53 A TO-247-4 650 V 0.042 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 53 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
IMZA65R030M1HXKSA1
od PLN 48,592*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A TO-263-7L 750 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-263-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerze...
ROHM Semiconductor
SCT4026DW7TL
od PLN 44,084*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,385Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
Infineon
IPL60R385CPAUMA1
od PLN 4,67*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-3PF 600 V SMD 0.083 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z zasilaniem ROHM ma TYP OPAKOWANIA TO-220FM. Jest on używany głównie do przełączania.Niska rezystancja w stanie włączenia Szybkie przełączanie Ułatwienie pracy równoległej Bez Pb...
ROHM Semiconductor
R6050JNZC17
od PLN 31,639*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 mA SOT-363 25 V SMD Izolacja 300 mW 770 milioma (2 ofert) 
Dwa tryby usprawniające MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory działające w trybie poprawy efektów polowych są produkowane przy użyciu własnych tranzystorów Fairchild, o wysokiej gęstości kom...
onsemi
FDG6303N
od PLN 1,97*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   621   622   623   624   625   626   627   628   629   630   631   ..   816   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.