Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 206 ofert spośród 4 626 144 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSONP8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 116W Polaryza...
Texas Instruments
CSD18563Q5AT
od PLN 3,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 59 A TO-247-4 650 V 0.034 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
IMZA65R027M1HXKSA1
od PLN 57,204*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 120mA; Idm: 760mA (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj o...
Nexperia
NX7002AKVL
od PLN 0,44*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 59.9 A PowerPAK SO-8 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59.9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SiR588DP-T1-RE3
od PLN 1,724*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 56 A TO-247N 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4026DEHRC11
od PLN 47,945*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 56 A Rura 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4026DRC15
od PLN 44,383*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 0.75 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
ST Microelectronics
STD9N60M6
od PLN 3,075*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; 192W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W Polaryzac...
Texas Instruments
CSD18533KCS
od PLN 3,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 56 A TO-247-4L 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4026DRHRC15
od PLN 47,945*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; 3,9W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,9W Polaryz...
Diodes
DMTH6004SK3Q-13
od PLN 3,04*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A HUML2020L8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HUML2020L8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerze...
ROHM Semiconductor
RF4P060BGTCR
od PLN 1,151*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPS80R900P7 tranzystor 800 V (2 ofert)
Infineon
IPS80R900P7AKMA1
od PLN 2,13*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPS70R900P7S tranzystor 700 V (1 Oferta)
Infineon
IPS70R900P7SAKMA1
od PLN 94,4205*
za 75 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 575 A. PowerPAK 8 x 8L 40 V SMD 0,0009 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175°C ma cienkie opakowanie 1.6 mm.Bardzo niska rezystancja termiczna Tranzystor MOSFET z zasilaniem TrenchFET Gen IV
Vishay
SQJQ144AE-T1_GE3
od PLN 5,541*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100mA; Idm: 0,68A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opak...
Nexperia
NX7002AKW,115
od PLN 0,0934*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   621   622   623   624   625   626   627   628   629   630   631   ..   814   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.