MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 657/815)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 0,79A; 30W; TO220FP (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 0,79A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unipola...

Vishay

IRFIBF20GPBF

od PLN 3,69*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 9 A POWERPAK SC-70W-6L 100 V SMD 0.99 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = POWERPAK SC-70W-6L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezyst...

Vishay

SQA700CEJW-T1_GE3

od PLN 3,455*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 81 A PowerPAK SO-8DC 100 V SMD 0,0061 oma (2 ofert)

Tranzystor MOSFET Vishay N-Channel 100 V (D-S) ma bardzo niski poziom sygnału RDS x QG (FOM). Jest on dostrojony do najniższego FOM RDS x Qoss.Tranzystor MOSFET z zasilaniem TrenchFET Gen IV 100 % ...

Vishay

SiDR104ADP-T1-RE3

od PLN 4,854*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 1,08A; Idm: 6,8A; 50W; DPAK (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 1,08A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipolar...

onsemi

FQD2N90TM

od PLN 2,48*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 9 A POWERPAK SC-70W-6L 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = POWERPAK SC-70W-6L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów n...

Vishay

SQA444CEJW-T1_GE3

od PLN 3,39*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 81 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 81 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny

ROHM Semiconductor

SCT4018KRC15

od PLN 143,233*
za szt.

Infineon IPB067N08N3 G tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

IPB067N08N3GATMA1

od PLN 4,24*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 1,3A; 70W; DPAK (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacj...

ST Microelectronics

STD2NK90ZT4

od PLN 1,82*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 81 A TO-247N 1200 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 81 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...

ROHM Semiconductor

SCT4018KEC11

od PLN 92,068*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 1,9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FQPF5N90

od PLN 6,33*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P (1 Oferta)

Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,63Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 275W Polaryzacja:...

NTE Electronics

NTE2973

od PLN 47,30*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 9 A SOP 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

ROHM Semiconductor

SH8KA4TB1

od PLN 1,796*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 89 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD Pojedynczy 170 W 9,4 milioma (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET o mocy od 60 V do 80 V, Infineon. Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowy...

Infineon

IRF2807ZSTRLPBF

od PLN 3,713*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 2,5A; 40W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipo...

Toshiba

2SK3566(STA4,Q,M)

od PLN 3,00*
za szt.

Infineon IPN60R360P7S tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPN60R360P7SATMA1

od PLN 4 298,52*
za 3 000 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 651 652 653 654 655 656 657 658 659 660 661 .. 815 Dalej

MOSFET (12 219 ofert spośród 4 795 757 artykułów)

"MOSFET"