Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 649 ofert spośród 4 784 057 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 89A; 31W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 89A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6144
od PLN 2,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247AC 650 V 0.08 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHG080N60E-GE3
od PLN 12,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 50A; 11,5W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 11,5...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF2146L
od PLN 3,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220AB 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
R6535KNX3C16
od PLN 12 864,71*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 0,8A; 60W; TO263; 11ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 11ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Po...
IXYS
IXTA08N50D2
od PLN 5,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 350 mA TO-39 90 V Pojedynczy 6,25 W 5 omów (2 ofert) 
2N6661 to tranzystor trybu wzmocnienia (normalnie wyłączony), w którym zastosowano pionową strukturę DMOS oraz sprawdzony proces produkcji bramek krzemowych. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwo...
Microchip Technology
2N6661
od PLN 53,633*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W P...
IXYS
IXTT16N50D2
od PLN 49,24*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 1200 V 0,08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...
Infineon
AIMW120R080M1XKSA1
od PLN 8 936,3712*
za 240 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 90A; 62W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62W Po...
Infineon
IPC90N04S5L-3R3
od PLN 2,33*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-263 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIHB080N60E-GE3
od PLN 13,241*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220AB 650 V 0.08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHP080N60E-GE3
od PLN 12,614*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 1,5A; 42W; IPAK,TO251 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: IPAK;TO251 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFU420PBF
od PLN 1,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 358 A Moduł 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 358 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na śrubie
ROHM Semiconductor
BSM600D12P3G001
od PLN 5 593,213*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 600 V 0.099 Ω (1 Oferta) 
Superzłącze MOSFET 600V Cool MOS P7 nadal równowaga między potrzebą wysokiej wydajności a łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepszy w swojej klasie RonxA i niski poziom naładowania bram...
Infineon
IPW60R099P7XKSA1
od PLN 13,369*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 9 A SO-8 40 V SMD 21 MO (2 ofert) 
Jednokanałowy tranzystor Infineon 40V HEXFET MOSFET o mocy 40 V w OBUDOWIE SO-8.Bardzo niska impedancja bramki Bardzo niski poziom RDS (włączony) Pełna charakterystyka napięcia i prądu lawinowości
Infineon
IRF7469TRPBF
od PLN 1,36*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   721   722   723   724   725   726   727   728   729   730   731   ..   1444   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.