Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 622 ofert spośród 4 795 113 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 5 A DPAK (TO-252) 200 V SMD 600 MO (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor Infineon 200V HEXFET Power MOSFET w zestawie D-Pak.Płaska struktura komórek dla szerokiego SOA Zoptymalizowane pod kątem najszerszej dostępności od partnerów dystrybucyjnyc...
Infineon
IRFR220NTRLPBF
od PLN 1,852*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,9A; 85W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD10N60M2
od PLN 3,28*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SIHB055N60EF-GE3
od PLN 20,548*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66M60L
od PLN 78,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A SO-8 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SI4848BDY-T1-GE3
PLN 4 255,00*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 36A; 650W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFK36N60P
od PLN 32,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247 650 V 0.059 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = STWA68N65DM6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
ST Microelectronics
STWA68N65DM6
od PLN 53,707*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 1.5 omów (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS™ CE jest odpowiedni do twardych i miękkich zastosowań przełączania, a jako nowoczesny superwęzeł zapewnia niskie straty przewodzenia i przełączania, poprawiając wydajność i ostatec...
Infineon
IPD60R1K5CEAUMA1
od PLN 1,266*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 43A; Idm: 172A; 600W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2951
od PLN 37,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A D2PAK-7L 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = D2PAK-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy
onsemi
NTBG060N065SC1
od PLN 25,507*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXKR47N60C5
od PLN 70,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A SOIC 70 V SMD Pojedynczy 30 W (1 Oferta) 
Tranzystory RF MOSFET Semelab
Semelab
D1011UK
od PLN 6 162,52*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 36A; 650W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT36N60P
od PLN 31,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247-4 1700 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Microchip Technology
MSC035SMA170B4
od PLN 161,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23,8A; 34W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Po...
Infineon
IPA60R160C6XKSA1
od PLN 9,88*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   801   802   803   804   805   806   807   808   809   810   811   ..   1442   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.