Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 581 ofert spośród 4 766 723 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 5 A TO-252 250 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPD5N25S3430ATMA1
od PLN 2,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR48N60P
od PLN 52,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 49 A H-PSOF8L 650 V SMD 0.05 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor SUPERFET III ma rodzinę tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na o...
onsemi
NTBL050N65S3H
od PLN 29,108*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29,7A; Idm: 141A; 417W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FCA47N60-F109
od PLN 24,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A SO-8 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SI4848BDY-T1-GE3
od PLN 1,632*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247-4 650 V 0.084 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SiC Power Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
onsemi
NTH4L060N090SC1
od PLN 40,522*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 219W...
Infineon
IPW60R125C6FKSA1
od PLN 19,49*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A TO-263 850 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SIHB6N80AE-GE3
od PLN 4,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 36A; 650W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFK36N60P
od PLN 32,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 49 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 38 W 8,1 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 49 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NVMYS8D0N04CTWG
od PLN 2,612*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6021BLLG
od PLN 73,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A TO-220AB 850 V 0.95 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.95...
Vishay
SiHP6N80AE-GE3
od PLN 3,636*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 195ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W...
IXYS
IXFH50N60X
od PLN 30,30*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ099N06LS5ATMA1
od PLN 1,368*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A U-DFN2020 30 V SMD 0.075 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren...
Diodes
DMN3055LFDBQ-7
od PLN 0,927*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   791   792   793   794   795   796   797   798   799   800   801   ..   1439   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.