Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 615 ofert spośród 4 769 254 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 51 A PowerPak SO-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPak SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIR4604LDP-T1-GE3
od PLN 3,591*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W P...
Infineon
BSC039N06NS
od PLN 4,25*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,7 A ThinPAK 5 x 6 700 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na ...
Infineon
IPLK70R900P7ATMA1
od PLN 1,533*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 62,5W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Pola...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB380CF C0G
od PLN 5,82*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A PowerPak SO-8 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPak SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIR4604LDP-T1-GE3
od PLN 2,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; 0,225W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unip...
onsemi
2V7002LT1G
od PLN 1,115*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-3PF 600 V SMD 0.083 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-3PF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
ROHM Semiconductor
R6050JNZC17
od PLN 30,247*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,3A; 63W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W P...
Infineon
IPP60R600E6XKSA1
od PLN 2,80*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A TO-263-7L 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-263-7L Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4026DW7HRTL
od PLN 66,793*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 113W Polar...
Diodes
DMT6004SCT
od PLN 4,47*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB50N12S3L-15 tranzystor 75 V (1 Oferta)
Infineon
IPB50N12S3L15ATMA1
od PLN 3 887,77*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,2A; 150W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...
ST Microelectronics
STB13NK60ZT4
od PLN 4,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A TO-263-7L 750 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-263-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerze...
ROHM Semiconductor
SCT4026DW7TL
od PLN 46,974*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; 0,2W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipol...
Vishay
2N7002-T1-E3
od PLN 0,176*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A WPAK 30 V SMD 0.0029 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = WPAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Renesas Electronics
RJK0391DPA-00J5A
od PLN 13 278,21*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   821   822   823   824   825   826   827   828   829   830   831   ..   1441   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.