Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 582 ofert spośród 4 765 728 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 50 A WPAK 30 V SMD 0.0029 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = WPAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Renesas Electronics
RJK0391DPA-00J5A
od PLN 13 272,27*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,5A; 160W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryza...
ST Microelectronics
STB14NK60ZT4
od PLN 5,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51.4 A PowerPAK SO-8 100 V SMD 0.0108 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51.4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Vishay
SiR876BDP-T1-RE3
od PLN 13,70*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 50 A D2PAK (TO-263) 700 V SMD 0.041 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IPB65R041CFD7ATMA1
od PLN 20,529*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,073A; Idm: 0,8A; 0,2W (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,073A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W...
Micro Commercial Components
2N7002W-TP
od PLN 1,165*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 52 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 38 W 12 miliomów (1 Oferta) 
Przemysłowy układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne.Kompaktowa konstr...
onsemi
NTMYS7D3N04CLTWG
od PLN 5,124*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; 0,2W; SC70,SOT323 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: ...
onsemi
2N7002W
od PLN 0,264*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 mA CPH 25 V SMD Pojedynczy 700 mW (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = CPH Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna strata mocy = 700 mW...
onsemi
NSVJ6904DSB6T1G
od PLN 1,274*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 52 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 38 W 12 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 52 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NTMYS7D3N04CLTWG
od PLN 7,627*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na u...
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1
od PLN 4,758*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 52 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD Pojedynczy 39 W 11 miliomów (3 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 52 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Vishay
SIS862ADN-T1-GE3
od PLN 1,467*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
2N7002W
od PLN 1,135*
za 25 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 500 A LFPAK88 40 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK88 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
PSMNR55-40SSHJ
od PLN 13,301*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,45A; 0,7W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryzacj...
Diodes
ZVN2106ASTZ
od PLN 1,26*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 150 V SMD Pojedynczy 160 W 22 miliomy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
onsemi
FDD86250-F085
od PLN 3,107*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   811   812   813   814   815   816   817   818   819   820   821   ..   1439   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.