Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor dużej mocy

  Tranzystor dużej mocy  (533 ofert spośród 4 795 758 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor dużej mocy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor dużej mocy"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 11 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 38 W 107 miliomów (1 Oferta) 
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, ...
onsemi
RFD3055LESM9A
od PLN 2 728,95*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 80 A Uce 600 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 319,2 W (2 ofert) 
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obe...
Infineon
IKW50N60DTPXKSA1
od PLN 10,58*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 74 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 250 W (3 ofert) 
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obe...
Infineon
IKW40N65H5FKSA1
od PLN 13,132*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A TO-264P 650 V Pojedynczy 1,04 kW 30 miliomów (3 ofert) 
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiPerFET™ X2. Tranzystor klasy IXYS X2 klasy HiPerFET Power MOSFET o znacznie mniejszej rezystancji i stopniu naładowania bramki w porównaniu z poprzednimi generacjami...
IXYS
IXFK100N65X2
od PLN 50,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220F 800 V Pojedynczy 35,7 W 340 miliomów (1 Oferta) 
SuperFET® i SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild uzupełniła serię MOSFET SuperFET® II o wysokonapięciowy wzmacniacz z technologią Super Junction. Zapewnia ona najlepszą...
onsemi
FCPF400N80Z
od PLN 48,555*
za 5 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 306 W (1 Oferta) 
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obe...
Infineon
IKW40N60H3FKSA1
od PLN 29,638*
za 2 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 306 W (2 ofert) 
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obe...
Infineon
IKW40N60H3FKSA1
od PLN 14,314*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220F 800 V Pojedynczy 35,7 W 340 miliomów (2 ofert) 
SuperFET® i SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild uzupełniła serię MOSFET SuperFET® II o wysokonapięciowy wzmacniacz z technologią Super Junction. Zapewnia ona najlepszą...
onsemi
FCPF400N80Z
od PLN 6,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247 1000 V Pojedynczy 690 W 1,05 oma (1 Oferta) 
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3. Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapew...
IXYS
IXFH15N100Q3
od PLN 1 740,5202*
za 30 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 1,7 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 500 mW 230 miliomów (4 ofert) 
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, ...
onsemi
NDS355AN
od PLN 0,654*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 395 W (1 Oferta) 
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obe...
Infineon
IKW75N65ES5XKSA1
od PLN 19,454*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 115 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 200 mW 7.5 Ω (3 ofert) 
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, ...
onsemi
2N7002
od PLN 0,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 16 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 90 W 47 miliomy (2 ofert) 
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, ...
onsemi
RFD16N06LESM9A
od PLN 3,282*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 1,9 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 500 mW 600 miliomów (2 ofert) 
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, ...
onsemi
FDN357N
od PLN 0,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 1.7 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 500 mW 230 miliomów (1 Oferta) 
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, ...
onsemi
NDS355AN
od PLN 3,19*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   36   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.