Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy złączowy

  Tranzystor polowy złączowy  (132 ofert spośród 4 798 536 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy złączowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy złączowy"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor JFET, N-kanałowy, 5-pinowy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu = 14mA Maksymalne napięcie bramka-źródło = -50 V Typ opakowania = SMV Liczba styków = 5
Toshiba
2SK2145-BL(TE85L,F)
od PLN 0,988*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 23A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080K3S
od PLN 25,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor JFET, N-kanałowy, 3-pinowy (2 ofert) 
Typ kanału = N Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu = 14mA Maksymalne napięcie bramka-źródło = -50 V Typ opakowania = S-MINI Liczba styków = 3
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
od PLN 0,632*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET x2; unipolarny; 50V; 8mA; 0,25W; TO71; Igt: 30mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO71 Prąd bramki: 30mA Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 8mA Typ tranzystora: N-JFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...
NTE Electronics
NTE461
od PLN 25,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor JFET, N-kanałowy, 3-pinowy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu = 14mA Maksymalne napięcie bramka-źródło = -50 V Typ opakowania = S-MINI Liczba styków = 3
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
od PLN 1,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080B3
od PLN 44,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor JFET, 4V, TO-92, P-Channel (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor JFET, Typ=J176-D74Z, Ciągły prąd drenu (Id)=-999, Napięcie odcięcia bramka-źródło maks. (Vgs(off))=4 V, Napięcie przebicia=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=-999, Rezyst...
onsemi
J176-D74Z
od PLN 0,95*
za szt.
 
 szt.
Wzmacniacz operacyjny Montaż powierzchniowy Pojedyncze 1 Tranzystor polowy złączowy 30 V SOIC 1MHz (1 Oferta) 
Typ wzmacniacza = Tranzystor polowy złączowy Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ opakowania = SOIC Typ zasilania = Pojedyncze Liczba kanałów na układ = 1 Liczba styków = 8 Typowe napięcie pojed...
Texas Instruments
TL061ID
od PLN 2,505*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 40A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065040K3S
od PLN 143,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor JFET, 6V, TO-92, P-Channel (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor JFET, Typ=J175-D26Z, Ciągły prąd drenu (Id)=-999, Napięcie odcięcia bramka-źródło maks. (Vgs(off))=6 V, Napięcie przebicia=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=-999, Rezyst...
onsemi
J175-D26Z
od PLN 0,517*
za szt.
 
 szt.
Wzmacniacz operacyjny Montaż powierzchniowy Podwójne JFET, niski poziom zakłóceń SOP8 3MHz (1 Oferta) 
Typ wzmacniacza = JFET, niski poziom zakłóceń Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ opakowania = SOP8 Typ zasilania = Podwójne Liczba styków = 8 Typowa dobroć wzmacniacza = 3MHz Szyna-szyna = Nie
Nisshinbo Micro Devices
NJM072CG-TE2
od PLN 3,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065030K4S
od PLN 210,70*
za szt.
 
 szt.
Wzmacniacz operacyjny Montaż powierzchniowy Pojedyncze 1 Tranzystor polowy złączowy 6→ 36 V. SO 1MHz Zamach (2 ofert) 
Wolna praca zapadki Wewnętrzna kompensacja częstotliwości Bardzo niskie zużycie energii: 200 μA Niskie napięcie wejściowe i prądy offsetowe Szeroki zakres napięć wspólnych (do VCC +) i różnicowych ...
ST Microelectronics
TL061CDT
od PLN 0,499*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 23A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080T3S
od PLN 41,68*
za szt.
 
 szt.
Wzmacniacz operacyjny Montaż powierzchniowy Podwójne JFET, niski poziom zakłóceń SOP8 3MHz (1 Oferta) 
Typ wzmacniacza = JFET, niski poziom zakłóceń Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ opakowania = SOP8 Typ zasilania = Podwójne Liczba styków = 8 Typowa dobroć wzmacniacza = 3MHz Szyna-szyna = Nie
Nisshinbo Micro Devices
NJM072CG-TE2
od PLN 5 881,15*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.