Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy złączowy

  Tranzystor polowy złączowy  (132 ofert spośród 4 798 806 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy złączowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy złączowy"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 6,5mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 6,5mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,1W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
od PLN 3,58*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,35W; TO92; 50mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: luzem Napięcie bramka-źródło: 30V
NTE Electronics
NTE2938
od PLN 6,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,36W; TO92; 50mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,36W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: luzem Napięcie bramka-źródło: 30V
NTE Electronics
NTE489
od PLN 5,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,31W; TO92; 10mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 10mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,31W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: luzem Napięcie bramka-źródło: 40V
NTE Electronics
NTE326
od PLN 11,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,35W; TO92; 50mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: luzem Napięcie bramka-źródło: 30V
NTE Electronics
NTE2937
od PLN 6,65*
za szt.
 
 szt.
Standardowo włączone JFET, SiC, 20V, TO-247-3L, Kanał N 1.2kV 35mOhm TO-247-3L (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Standardowo włączone JFET, SiC, Typ=UJ3N120035K3S, Ciągły prąd drenu (Id)=63 A, Napięcie odcięcia bramka-źródło maks. (Vgs(off))=20 V, Napięcie przebicia=1.2 kV, Napięcie źródłowe dr...
United Silicon Carbide
UJ3N120035K3S
od PLN 136,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: PowerFLAT 5x6 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 192W Pol...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
od PLN 10,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SuperSOT-3; 10mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-3 Prąd bramki: 10mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: t...
onsemi
MMBFJ108
od PLN 0,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolarny; HEMT,kaskodowy (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO247;SOT429 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 33,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 187W Pol...
Nexperia
GAN041-650WSBQ
od PLN 55,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 9mA; 0,31W; TO92; Igt: 10mA (1 Oferta) 
Producent: Central Semiconductor Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 9mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,31W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...
Central Semiconductor
2N5458 PBFREE
od PLN 2,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,3W; TO72; 10mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO72 Prąd bramki: 10mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,3W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: luzem Napięcie bramka-źródło: 20V
NTE Electronics
NTE460
od PLN 18,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-20 Prąd bramki: 20mA Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-JFET Moc rozp...
Infineon
IGOT60R070D1AUMA1
od PLN 77,35*
za szt.
 
 szt.
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9 

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.