Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy  (11 248 ofert spośród 4 794 757 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 128ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN220N20X3
od PLN 107,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTK550N055T2 Kanał N Rodzaj obudowy TO-264 (2 ofert) 
Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTK550N055T2 | Dane techniczne: C(ISS): 40000 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 550 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: IXY · Maksymalna temperatur...
IXYS
IXTK550N055T2
od PLN 68,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 1,9 A TO-252 80 V SMD 2.8 Ω (1 Oferta) 
Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe z tlenkiem metalu półprzewodników”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi st...
Infineon
IPD80R2K8CEATMA1
od PLN 2,587*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany; 960W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100Q3
od PLN 210,865*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTN550N055T2 Kanał N Rodzaj obudowy SOT-227 (1 Oferta) 
Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTN550N055T2 | Dane techniczne: C(ISS): 40000 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 550 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: IXY · Maksymalna temperatur...
IXYS
IXTN550N055T2
od PLN 138,87*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1
od PLN 2,613*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 27A; SOT227B; przykręcany; 690W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100P
od PLN 116,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTP260N055T2 Kanał N Rodzaj obudowy TO-220A (2 ofert) 
Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTP260N055T2 | Dane techniczne: C(ISS): 10800 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 260 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: IXY · Maksymalna temperatur...
IXYS
IXTP260N055T2
od PLN 14,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A PQFN 5 x 6 25 V SMD 0.00115 Ω (1 Oferta) 
Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET mocy HEXFET®, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tran...
Infineon
IRFH5250TRPBF
od PLN 4,429*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI280N200
od PLN 198,68*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFB3207ZPBF
od PLN 5,394*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,5 A SOT-223 55 V SMD 0.161 O. (2 ofert) 
Tranzystor polowy trybu wzmocnienia N poziomu logiki Nexperia BUK98150-55A/CUF (FET) w plastikowym opakowaniu z wykorzystaniem technologii TrenchMOSNiskie straty przewodzenia dzięki małej rezystanc...
Nexperia
BUK98150-55A/CUF
od PLN 0,76*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN230N20T
od PLN 127,01*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ028N04LSATMA1
od PLN 1,824*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 180A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI220N200
od PLN 120,60*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   750   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.