Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy  (11 262 ofert spośród 4 800 255 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -28A; 83W; 31ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 31ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTP28P065T
od PLN 7,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 2,4W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100/-100V Prąd drenu: 2,2/-2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23/0,235Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasz...
Diodes
ZXMC10A816N8TC
od PLN 1,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -60V; -2A; 2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
NDS9948
od PLN 1,006*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -28A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 31ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
IXYS
IXTA28P065T
od PLN 5,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 2,5/-2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65/75mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpra...
Alpha & Omega Semiconductor
AO6604
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,31W; TO92; 10mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 10mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,31W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: luzem Napięcie bramka-źródło: 40V
NTE Electronics
NTE326
od PLN 11,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -170A; 890W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 176ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890...
IXYS
IXTK170P10P
od PLN 59,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -0,23A; 0,7W; TO92 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -230mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryz...
Diodes
ZVP2110A
od PLN 1,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TSOT26 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 3/-2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,056/0,168Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Zastosowanie...
Diodes
DMC2038LVTQ-7
od PLN 0,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U23TR
od PLN 0,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -57A; 190W; 144ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 144ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -57A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana...
IXYS
IXTR90P10P
od PLN 22,45*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSR316PH6327XTSA1
od PLN 0,477*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 0,8/-0,55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5/1Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana...
Diodes
DMC2400UV-7
od PLN 0,955*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -0,43A; 0,25W; SOT563 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -0,43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: un...
onsemi
NTZD3152PT1G
od PLN 1,25*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA36P15P
od PLN 15,71*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   351   352   353   354   355   356   357   358   359   360   361   ..   751   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.