Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy  (11 262 ofert spośród 4 800 093 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -0,69A; Idm: -8,8A; 3,1W (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -0,69A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: uni...
Vishay
IRFL9110TRPBF
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 0,087/-0,064A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4/0,7Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpra...
Diodes
DMG1016VQ-7
od PLN 0,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -1,7A; 1,25W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,7A Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania:...
Infineon
IRF7504TRPBF
od PLN 0,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; 240ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTH26P20P
od PLN 12,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -1,3A; 1,1W; SOT26 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W Pola...
Diodes
ZXMP10A17E6TA
od PLN 1,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 2,7/-1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13/0,27Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,96...
onsemi
FDC6327C
od PLN 0,658*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -25V; -0,41A; 0,3W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: -25V Prąd drenu: -0,41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Po...
onsemi
FDG6304P
od PLN 0,738*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; 260ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 46...
IXYS
IXTH48P20P
od PLN 29,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacj...
NTE Electronics
NTE2371
od PLN 23,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 8,2/-6,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,028/0,016Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...
Diodes
DMC3016LSD-13
od PLN 0,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -4,5A; Idm: -18A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 84mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryza...
ROHM Semiconductor
SH8J62TB1
od PLN 1,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; 414ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTH10P50P
od PLN 20,83*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF9530NSTRLPBF
od PLN 1,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 5,4/-6,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,035/0,048Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...
Diodes
ZXMC3A16DN8TC
od PLN 2,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -5,9A; 5W; SO8 (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -5,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 5W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4925DDY-T1-GE3
od PLN 1,305*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   351   352   353   354   355   356   357   358   359   360   361   ..   751   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.