Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy  (11 255 ofert spośród 4 801 326 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT13F120B
od PLN 44,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,15A; Idm: 0,77A; 0,5W (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polar...
Infineon
BSS123NH6433XTMA1
od PLN 0,207*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO247-3; 700ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTH3N120
od PLN 20,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; Idm: 36A; 300W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R4SFLLG
od PLN 101,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 2,5A; 110W; ISO247™; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISO247™ Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W...
IXYS
IXTJ4N150
od PLN 29,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,2W; SOT323 (3 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryz...
Diodes
BSS123W-7-F
od PLN 0,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTA3N120HV
od PLN 18,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO247-3; 1,2us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowa...
IXYS
IXTH12N150
od PLN 47,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISO247™ Czas gotowości: 1,5µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125...
IXYS
IXTJ6N150
od PLN 37,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Polaryzacja: unipol...
onsemi
BSS123L
od PLN 0,169*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 6A; 250W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Ładunek bramk...
IXYS
IXFP6N120P
od PLN 23,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1,2us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowa...
IXYS
IXTT12N150HV
od PLN 180,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTA3N150HV
od PLN 28,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,3W; SOT23 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,3W Polaryza...
Diodes
BSS123-7-F
od PLN 0,505*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 850ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTT6N120
od PLN 33,78*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   751   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.