Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy  (11 255 ofert spośród 4 801 362 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 2A; 290W; TO247-3; 1,86us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,86µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W...
IXYS
IXTH2N150L
od PLN 37,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 8A; 700W; TO264; 1,7us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W P...
IXYS
IXTK8N150L
od PLN 127,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,19A; 830mW (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,83W Polaryzac...
Nexperia
BST82,215
od PLN 0,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; 300W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R4BFLLG
od PLN 124,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 6A; 540W; TO268; 1,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 1,5µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTT6N150
od PLN 29,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 2A; 568W; TO268; 80ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 80ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Po...
IXYS
IXTT2N170D2
od PLN 72,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,32A; 0,7W; TO92 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryzac...
Diodes
ZVNL110A
od PLN 1,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 1,83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3PF Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 1,83A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 73W...
IXYS
IXTQ3N150M
od PLN 20,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1,7us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700...
IXYS
IXTX8N150L
od PLN 125,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 1,6A; Idm: 12A; 25W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: unipola...
Bridgelux
BXP3N1KF
od PLN 1,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,5A; 2W; SOT223 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polaryzacj...
Diodes
ZVN2110GTA
od PLN 1,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W ...
IXYS
IXTT12N150
od PLN 42,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 1,16A; 70W; IPAK (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STU2NK100Z
od PLN 1,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 4,3A; 40W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STF8NK100Z
od PLN 6,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,8A; 1,4W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,63Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4...
Alpha & Omega Semiconductor
AO3442
od PLN 0,23*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   751   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.