Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (9 079 ofert spośród 4 794 621 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 80 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 306 W (3 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 306 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu...
Infineon
IGW40N60H3FKSA1
od PLN 11,15*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-223 (SC-73) 100 V Montaż powierzchniowy NSV1C201MZ4T1G (1 Oferta) 
Są to urządzenia typu PbFree Prefiks NSV dla zastosowań motoryzacyjnych i innych wymagających unikatowych wymagań dotyczących zmian w placówce i kontroli, z obsługą PPAP Korzyści Brak odprowadzenia...
onsemi
NSV1C201MZ4T1G
od PLN 4,425*
za 5 szt.
 
 opakowania
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek H; Urmax: 1,2kV; Ic: 21A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 3...
Powersem
PSHI 25/12
od PLN 97,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT, 1.2kV, 16A, TO-247 (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Tranzystor IGBT, Typ=IGW08T120FKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=16 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora ...
Infineon
IGW08T120FKSA1
od PLN 13,16*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-223 (SC-73) 80 V DC Montaż powierzchniowy SBCP56-10T1G (1 Oferta) 
Tranzystor bipolarny NPN jest przeznaczony do zastosowań we wzmacniaczach audio. Urządzenie jest umieszczone w obudowie SOT-223, która jest przeznaczona do montażu powierzchniowego o średniej mocy....
onsemi
SBCP56-10T1G
od PLN 393,89*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 63A Prąd kolektora w impulsie: 1...
Powersem
PSI 100/06
od PLN 133,58*
za szt.
 
 szt.
IGBT PG-TO247-3 250 W (3 ofert) 
Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IGW40N65H5FKSA1
od PLN 9,4192*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SC-101 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA PDTC114TM,315 (1 Oferta) 
Tranzystory cyfrowe z jednym rezystorem Nexperia
Nexperia
PDTC114TM
od PLN 0,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-ECONOD-3 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolekto...
Infineon
FF450R06ME3
od PLN 527,84*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 (TO-236AB) 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA PDTC114YT,215 (1 Oferta) 
Tranzystory cyfrowe NPN z podwójnym rezystorem, nieprzyjemne wrażenia. Nexperia
Nexperia
PDTC114YT,215
od PLN 0,0859*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 3...
Powersem
PSI 25/12
od PLN 73,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 80 A Uce 650 V PG-TO247-3 305 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 305 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
od PLN 14,031*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-223 (SC-73) 400 V Montaż powierzchniowy 300 mA FJT44TF (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 300 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 400 V Typ opakowania = SOT-223 (SC-73) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy =...
onsemi
FJT44TF
od PLN 2 051,20*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: HUAJING Obudowa: V3 62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie: 350...
HUAJING
HFGM150D12V3
od PLN 252,12*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 1350 V PG-TO247-3 310 W (3 ofert) 
Dwubiegunowy tranzystor Infineon z izolowaną bramką i monolityczną diodą korpusu zapewnia wysokie napięcie przebicia 1350v.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność ...
Infineon
IHW20N135R5XKSA1
od PLN 9,118*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   251   252   253   254   255   256   257   258   259   260   261   ..   606   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.