| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,1kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 90A Czas wyłączania: 470n... |
|
od PLN 13,07* za szt. |
|
|
Tranzystor IGBT, 600V, 20A, TO-247 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor IGBT, Typ=IKW20N60TFKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=20 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=600 V, Napięcie nasycenia emitera kolektora m... |
|
od PLN 9,32* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor DTC114ECAHZGT116 |
od PLN 2,53* za 25 szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 500 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 500 W Konfiguracja = Pojedyncza |
Infineon IKQ40N120CH3XKSA1 |
od PLN 28,167* za szt. |
|
|
Tranzystor IGBT, 1.2kV, 58A, TO-247 (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor IGBT, Typ=IXA33IF1200HB, Ciągły prąd kolektora (Ic)=58 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora m... |
|
od PLN 38,23* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 331,86* za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 96,97* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,23* za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 17,708* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 435,09* za 3 000 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 11A; 60W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Prąd kolektora: 11A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 60W Rodzaj opakowania: tuba |
|
od PLN 7,42* za szt. |
|
|
Tranzystor IGBT, 1.2kV, 75A, TO-247 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor IGBT, Typ=IKQ75N120CS6XKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=75 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolekto... |
Infineon IKQ75N120CS6XKSA1 |
od PLN 27,283* za szt. |
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 255 W (3 ofert) Infineon IKW40N65F5 to 650 V szybkie, twarde przełączanie IGBT, które używane są w połączeniu z technologią diod Rapid si. Ma wyższą gęstość mocy i ma niskie COE/EOSS.Współczynnik 2.5 niższy QG Wsp... |
|
od PLN 10,603* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor DTC124ECAHZGT116 |
od PLN 0,475* za 5 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 40A; 280W; TO247AD (1 Oferta) Producent: SIRECTIFIER Montaż: THT Obudowa: TO247AD Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 180A Czas załączania: 109ns Czas wy... |
|
od PLN 9,72* za szt. |
|
|