Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 276 ofert spośród 4 769 630 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 20A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12060LVFRG
od PLN 137,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 4 Styki wciskane F1-4PACK z wstępnie naniesionym materiałem termoizolacyjnym (TIM) (bez zawartości Pb i bez (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 74 W
onsemi
NXH040F120MNF1PTG
od PLN 432,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R5BVFRG
od PLN 113,10*
za szt.
 
 szt.
Karta wyjściowa PAXCDS50 do Podwójny Przekaźnik, Podwójny Napęd Triaka/Dual Ssr, Poczwórny Przekaźnik, Tranzystor Z (1 Oferta) 
Karty wtykowe PaX® Setpoint Podwójny Triak/Podwójny Napęd Ssr Do Użytku Wyłącznie z modułami PAX Wykrywanie Izolowanego Przejścia Zerowego (Traic) Maks. Prąd obciążenia 1 A przy 2580 g°C (triak) Na...
Red Lion
PAXCDS50
od PLN 414,053*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 323W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120B
od PLN 90,28*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM100RX-24T 300G
od PLN 829,145*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 40A; 123W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 123W Po...
Genesic Semiconductor
G3R160MT12D
od PLN 20,27*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 4 Styki wciskane F1-4PACK z wstępnie naniesionym materiałem termoizolacyjnym (TIM) (bez zawartości Pb i bez (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 119 W
onsemi
NXH020F120MNF1PTG
od PLN 17 955,11816*
za 28 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M09LVFRG
od PLN 96,04*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT AG-ECONO2B-411 (1 Oferta) 
Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
TDB6HK180N16RRB11BPSA1
od PLN 595,209*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6SVFRG
od PLN 80,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 2 Q0PACK - Case 180AJ (styki lutownicze bez zawartości Pb i bez zawartości Halide) 118 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 118 W
onsemi
NXH40B120MNQ0SNG
od PLN 404,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 318W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 318W Polary...
ST Microelectronics
SCT50N120
od PLN 115,974*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na panelu Typ kanału = N Konfiguracja tranzys...
Mitsubishi
PM100CG1B120300G
od PLN 1 649,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 25A; Idm: 87A; 182W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 182W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120S
od PLN 51,27*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   431   432   433   434   435   436   437   438   439   440   441   ..   1352   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.