Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 82A; 1,25kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 82A Prąd kolektora w impulsie: 580A Czas załączania: 109ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 83,67*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,849*
za szt. |
| |
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 652 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 652 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 |
Infineon IKQ50N120CT2XKSA1 |
od PLN 33,391*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 61ns Czas wyłączania: 8... |
|
od PLN 31,09*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 400V, 23A, TO-247AC (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP360PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=23 A, Czas narastania=79 ns, Czas opadania=67 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=100 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 7,50*
za szt. |
| |
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP100R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 776,915*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 33,43*
za szt. |
| |
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP100R12N2T7B11BPSA1 |
od PLN 649,711*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1,7kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 320A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 107ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 68,18*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 100A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1104PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=100 A, Czas narastania=114 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=28 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 3,109*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 300V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 0,1µs Czas wyłączania... |
|
od PLN 67,47*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,412*
za szt. |
| |
IGBT Ic 100 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 333 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu = Otw... |
|
od PLN 12,44*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 35,69*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 119A, TO-252 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR4104TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=119 A, Czas narastania=69 ns, Czas opadania=36 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=37 ns, Czas opóźnienia włączenia=17 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,525*
za szt. |
| |
|
